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PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
IXFH12N80P
IXFQ12N80P
IXFV12N80P
IXFV12N80PS
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 800 V
= 12 A
≤ 0.85 Ω
≤ 250 ns
N-Channel Enhancement Mode
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
Tranisent
T C = 25 ° C
800
800
± 30
± 40
12
V
V
V
V
A
TO-3P (IXFQ)
D (TAB)
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
36
6
A
A
G
D
S
D (TAB)
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
30
0.8
10
mJ
J
V/ns
PLUS220 (IXFV)
S
P D
T J ≤ 150 ° C, R G = 5 Ω
T C = 25 ° C
360
W
G
D
D (TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
PLUS220 SMD (IXFV...S)
T L
T SOLD
M d
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque (TO-247, TO-3P)
300 ° C
260 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
G
S
D (TAB)
F C
Mounting force
(PLUS220,PLUS220SMD) 11..65/2.5..15
N/lb.
G = Gate
D = Drain
Weight
PLUS220 & PLUS220SMD
4.0
g
S = Source
TAB = Drain
T0-3P
5.5
g
TO-247
6.0
g
Features
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
rated
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 2.5 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
0.85
Ω
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99476E(07/06)
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